学校主页
学校新闻
首页 > 学校新闻 > 正文

2024“低维纳米磁学与器件国际论坛”暨 “微电子与集成电路学科青年论坛”在湖北工业大学举行

作者/摄影:理学院国际交流办公室 审稿:石勇 出处:理学院 点击量: 日期: 2024-12-02

11月30日至12月2日,由湖北工业大学、湖北江城实验室、湖北电子学会及湖北省半导体行业协会联合主办的2024“低维纳米磁学与器件国际论坛”暨“微电子与集成电路学科青年论坛”在湖北工业大学举行。来自国内外的100多位专家学者齐聚一堂,围绕“低维纳米磁学与器件”和“微电子与集成电路”主题,探讨低维材料与器件、微电子与集成电路领域的前沿动态与发展趋势。

湖北工业大学党委书记彭育园出席开幕式并致欢迎辞,湖北江城实验室主任、湖北电子学会副理事长、湖北省半导体行业协会会长杨道虹致辞。

彭育园在致辞中对本次会议中拥有丰富学术背景和研究经验的低维磁性材料、微电子和集成电路领域的著名专家学者表示感谢。他指出,近年来,低维磁性材料、功能器件和集成电路等相关物理现象、理论、工艺和应用研究日新月异,湖北工业大学紧盯科技前沿,围绕微电子与集成电路学科,于2021年连续获批教育部/工信部国家现代产业学院、科技部/教育部“微电子与集成电路”学科创新引智基地(国家“111”引智基地 ),与海外13个大学及科研单位开展合作,取得一系列标志性成果。今天,借此次学术交流的机会,有助于传播低维磁性材料微电子和集成电路领域的新进展、新知识,加强专家学者之间的联系和沟通,活跃学校的学术科研氛围,激发师生科研热情,更好服务于半导体产业经济发展需求,为湖北乃至全国芯片产业高质量发展建言献策,提供学界智慧。

杨道虹在致辞中表示,二维材料凭借原子层厚度、低功耗等特性被产业界认为是1nm及以下节点的核心材料,将助力芯片制程延续摩尔定律,并推动技术从平面向三维的发展。如何发展适应未来微电子产业需求的纳米级新器件,以应对不同集成电路应用,已成为当前的热点议题。在此背景下,要加强国际合作,共享科研成果,对于加速电子信息技术快速发展,促进形成新质生产力,推动芯片产业集聚,构建高质量学术生态链,助力湖北乃至全国芯片产业在科技创新和应用拓展方面取得更大突破,增进全人类福祉具有不可估量的价值。

理学院党委书记石勇主持开幕式,校党委常委李政颖和湖北省第二师范学院党委常委、副校长吕辉主持大会主题报告。论坛设1个主旨会场、4个分会场,分别以低维纳米磁学与器件、微电子与集成电路学科青年论坛Ⅰ和Ⅱ、芯片产业学院发展论坛为主题举行了专场汇报。来自韩国成均馆大学、美国香槟伊利诺伊大学、美国旧金山州立大学、德国莱布尼兹固体物理研究所、日本名古屋大学、北京大学、中国科技大学、南京大学等国际知名高校院所的39位著名学者分享研究成果,与师生共同探讨集成电路相关的新材料、新器件、新架构的最新进展和发展态势。

湖北工业大学教授、中国科学院外籍院士、韩国科学技术翰林院院士李永熙教授,华中科技大学、国家自然科学基金杰出青年基金获得者翟天佑教授,海南大学国家自然科学基金杰出青年基金获得者蔡庆宇教授,韩国首尔国立大学Changyoung Kim教授,湖北九峰山实验室工艺中心总经理/实验室副主任柳俊教授,中国科学技术大学国家自然科学基金杰出青年基金获得者谭世倞教授分别做了大会主题报告。

低维纳米磁学与器件分会场有10位专家做了报告,分别是加利福尼亚大学圣迭戈分校Vitaliy Lomakin,韩国科学技术院Byong-Guk Park,日本名古屋大学Takahiro Moriyama,美国旧金山州立大学Akshay Pattabi,日本Yoda-S公司Hiroaki Yoda,日本理化学研究所Jorge Puebla,韩国成均馆大学Ki Kang Kim,日本东北大学Simon Greaves,德国莱布尼兹固体物理研究所Rudolf Schaefer,美国香槟伊利诺伊大学Axel Hoffmann。来自世界各地的教授们针对磁光效应在磁性材料和新型磁器件中的应用,高频磁自旋器件的基础理论和最新的磁动力学仿真理论,电控磁隧道结器件,超快磁子,高频反铁磁器件,可调谐微波磁子耦合器件,晶圆级二维磁性材料制备,超低能耗磁记录器件等低维磁学中的基础和前沿问题进行了深入浅出的探讨和交流。

微电子与集成电路学科青年论坛Ⅰ分会场有9位专家做了报告,分别是北京大学罗昭初,延边大学朴红光,华中科技大学胡昂,武汉大学蔡耀,浙江理工大学郭道友,杭州电子科技大学楚亮,湖北大学叶葱,湖北大学陈剑,湖北工业大学张力。青年学者们围绕磁性逻辑运算、多铁异质结构、电控磁效应、高性能芯片设计、射频滤波器、紫外探测器、新型忆阻器等领域做了精彩报告。论坛全面展示了当前微电子与集成电路领域的前沿研究成果,有效推动了学术交流与跨领域合作,为行业技术创新与未来发展提供了重要助力。

微电子与集成电路学科青年论坛Ⅱ分会场有9位专家做了报告,分别是华中科技大学吉晓,武汉衍熙微器件有限公司林瑞钦,武汉大学刘盛,南京大学的熊俊林,湖北江城实验室吴洁,中国科学技术大学马晓川,华中科技大学闵闰,湖北工业大学贺章擎、程正旺等专家,就超表面电磁调控、二维新材料中新的物理特性、芯片信息安全及先进数控、射频前端及先进封装等方面做了热情洋溢的报告,与会师生与报告专家进行了激烈的交流和讨论。

芯片产业学院发展论坛5位专家做了报告,分别是上海大学李喜峰,西南交通大学邸志雄,湖北汽车工业学院杨正才,桂林电子科技大学张法碧,湖北工业大学马新国做了报告,与会人员还有华中科技大学邹雪城、湖北工业大学王国裕、西安电子科技大学朱樟明、吉林大学陈占国、厦门大学郭东辉、上海大学张军、湖北第二师范学院李莎,湖北工业大学教务处处长张道德、理学院书记石勇、副院长耿亮,共同探讨了产业学院发展模式、人才培养思路、科教融合创新等问题。

本次国际学术会议专家云集、群贤毕至,汇聚各界精英,搭建一个高端交流与合作的平台,邀请院士、专家、学者围绕“低维纳米磁学与器件”和“微电子与集成电路”精准把脉该领域存在的科学与技术问题,为推动湖北乃至全国芯片产业高质量发展建言献策,提供学界智慧。

责任编辑:秦钰雯
扫一扫分享本页
转载本网文章请注明出处